新聞導讀
近些年,訊石光通訊網的新聞記者應邀普賽斯電子儀表企業總運營總監運營總監兼創新方法承擔責任人王承夫人,采取了現場采訪與完全討論會,堅持問題導向熟悉普賽斯企業在光網絡通訊與半導體芯片軟件測試“雙輪驅程”的進步前進行程。 5月16日,國內首場全球光電領域產業交流盛會——武漢光博會上,全球光電子信息產業最新產品和技術集中亮相,300多家國內外知名參展商齊聚。國家級專精特新“小巨人”企業武漢普賽斯現場展示了800G誤碼儀、12通道誤碼儀、八通道數字光衰器、探測器耦合測試儀、TO焦距測試系統、TOSA自動盤測系統、BAR條自動測試系統等光通信器件產線監測和測試方案;同時帶來了半導體全產業鏈電性能測試解決方案。光通信與半導體測試“雙輪驅動”發展的核心產品集體強勢亮相,在業界引起了不小轟動。武漢普賽斯將如何助力國家“國產化替代”目標的達成?面對新的發展形勢,武漢普賽斯又將如何適應新形勢,做好布局與規劃?會后,訊石的記者邀請普賽斯儀表公司副總經理兼研發技術負責人王承先生,進行了采訪與充分交流。

以下為采訪全文:
訊石:我們看到普賽斯這兩年的發展快速,能簡單介紹下普賽斯儀表與普賽斯電子的關系,以及產品應用的區別嗎?
王承:普(pu)賽(sai)斯電(dian)子成立(li)(li)(li)于2009年(nian),專業研究和開(kai)(kai)發光電(dian)芯片、器(qi)(qi)件(jian)、模塊的測(ce)試(shi)(shi)儀(yi)(yi)表(biao)、自(zi)動化測(ce)試(shi)(shi)設備(bei)及老化設備(bei),產品覆蓋了光通信行業85%以(yi)上的客戶。自(zi)2015年(nian)開(kai)(kai)始(shi),公司立(li)(li)(li)項對數(shu)字源表(biao)SMU進行研究,普(pu)賽(sai)斯儀(yi)(yi)表(biao)作為普(pu)賽(sai)斯電(dian)子的全(quan)資子公司于2019年(nian)成立(li)(li)(li),以(yi)半導體電(dian)性(xing)能測(ce)試(shi)(shi)設備(bei)和系統的開(kai)(kai)發、生產與銷售為核心,聚焦第三代半導體功(gong)率(lv)器(qi)(qi)件(jian)靜態參數(shu)的表(biao)征,致力于滿(man)足從材料、晶圓到器(qi)(qi)件(jian)測(ce)試(shi)(shi)用科學(xue)儀(yi)(yi)器(qi)(qi)的國產替代需求。

王承老師
上海普賽斯儀(yi)容儀(yi)表有現公司副(fu)總經(jing)理兼研發技(ji)術負責人
訊石:普(pu)賽斯儀(yi)器儀(yi)表現如今最主要的(de)渠道線和的(de)軟(ruan)件(jian)有(you)哪一(yi)些?2021年(nian)讓公(gong)司造成(cheng)了哪一(yi)些新(xin)的(de)軟(ruan)件(jian)、技術水平和緩(huan)解規劃?
王承:早在九十年(nian)代中(zhong)期(qi),國內(nei)開始引進數(shu)字源表,長期(qi)以(yi)來進口設(she)備一直處于行業壟(long)斷,國內(nei)用戶采購成本高昂,中(zhong)小企業不堪重負,在近(jin)二十年(nian)的時(shi)間內(nei),國內(nei)都沒有專門做源表的公司。隨著高速(su)信息(xi)產(chan)業的蓬(peng)勃發展,器件特性尤其是以(yi)碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的的寬(kuan)禁帶半導體材料器件的測試(shi),對測試(shi)設(she)備的要求越(yue)來越(yue)高。
面對日益迫切的國產化需求,普賽斯率先完成了數字源表SMU的開發與產業化,也就是我們這款基礎通用的S系列高精度數字源表。而后結(jie)合(he)用戶端應用場景的(de)不同需求,普賽斯貫通(tong)研發與量產(chan)測(ce)(ce)試,推(tui)出了源表系列(SMU)、脈沖恒(heng)流源 (FIMV)、高(gao)壓電(dian)(dian)源 (FIMV、FVMI)、數據(ju)采集卡(ka)(ka)以(yi)及測(ce)(ce)試系統(tong)五大類,產(chan)品(pin)涵(han)蓋(gai)脈沖源表、窄脈沖電(dian)(dian)流源、集成(cheng)插卡(ka)(ka)式源表、高(gao)精(jing)度(du)的(de)超大電(dian)(dian)流源、高(gao)精(jing)度(du)高(gao)壓電(dian)(dian)源、數據(ju)采集卡(ka)(ka)等(deng)國產(chan)化電(dian)(dian)性(xing)能(neng)測(ce)(ce)試儀表,以(yi)及IGBT功(gong)(gong)率器件靜態參數測(ce)(ce)試系統(tong)等(deng),已成(cheng)功(gong)(gong)實現國產(chan)對進口(kou)產(chan)品(pin)的(de)完全替代(dai)。
本次自己關鍵點動態展示了多的通道插卡式數字5源表、機光器自測自測圖片用窄單激光脈沖發生器LIV自測自測圖片平臺,耗油率元件靜態變量技術參數自測自測圖片用超高壓程控電壓適配器、高功率單激光脈沖發生器電壓適配器以其單激光脈沖發生器源表等。針對目前市場上對多通道、模塊化、高精度的應用測試需求,普賽斯推出了CS系列高精度插卡式源表,它能夠在源(yuan)輸出的(de)同時精(jing)(jing)(jing)準(zhun)的(de)測量電(dian)(dian)壓(ya)和(he)電(dian)(dian)流(liu),具有(you)高精(jing)(jing)(jing)度、多通道(dao)、通道(dao)物理(li)隔離、各通道(dao)獨立(li)控制、集成(cheng)度高,配(pei)置靈活(huo)等優(you)勢(shi)特點(dian)。可(ke)實現高達40通道(dao)的(de)配(pei)置,實現最(zui)優(you)性價(jia)比(bi)搭配(pei);產品覆蓋寬泛的(de)電(dian)(dian)壓(ya)和(he)電(dian)(dian)流(liu)范圍、出色(se)的(de)編程和(he)1‰測量精(jing)(jing)(jing)度。這些功能使得普賽(sai)斯CS插卡(ka)式(shi)系列源(yuan)表成(cheng)為既需要(yao)(yao)高分辨率,又需要(yao)(yao)高精(jing)(jing)(jing)度的(de)測量任務以及批(pi)量化測量的(de)理(li)想(xiang)選擇(ze)。目前已具備(bei)快速批(pi)量出貨的(de)硬實力。

針對大功率激光器使用直流或者寬脈沖加電時發熱嚴重,直流或寬脈沖下的測試結果不能準確反映器件特性的市場痛點,普賽斯專為大功率激光器LIV測試而研制的PL系列窄脈沖測試系統,具有輸(shu)出(chu)電(dian)流脈(mo)沖(chong)窄、輸(shu)出(chu)脈(mo)沖(chong)電(dian)流大、支(zhi)持脈(mo)沖(chong)光(guang)(guang)(guang)峰值功率(lv)檢測(ce)、支(zhi)持激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器電(dian)壓測(ce)量等功能,最大脈(mo)沖(chong)電(dian)流可達(da)30A。產(chan)品適用于車(che)(che)(che)載激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)雷(lei)(lei)達(da)EEL激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器,人臉識別、車(che)(che)(che)載雷(lei)(lei)達(da)VCSEL激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器,汽車(che)(che)(che)車(che)(che)(che)燈(deng)(deng)、紫外殺菌燈(deng)(deng)等大功率(lv)LED,醫療(liao)、美容激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器等。

今年推出的E系列高壓程控電源具(ju)有輸(shu)出(chu)及(ji)測(ce)量(liang)電(dian)(dian)壓(ya)高(單臺3500V,可(ke)(ke)(ke)擴(kuo)展到10KV)、能(neng)輸(shu)出(chu)及(ji)測(ce)量(liang)微(wei)弱電(dian)(dian)流信號(1nA)、輸(shu)出(chu)及(ji)測(ce)量(liang)電(dian)(dian)流0-100mA等(deng)特點。產品可(ke)(ke)(ke)以同步電(dian)(dian)流測(ce)量(liang),支(zhi)持(chi)恒壓(ya)恒流工作模式,同時支(zhi)持(chi)豐(feng)富(fu)的(de)IV掃描模式。E系列高壓(ya)程控電(dian)(dian)源可(ke)(ke)(ke)應(ying)用于IGBT擊穿電(dian)(dian)壓(ya)測(ce)試(shi)、IGBT動態測(ce)試(shi)母線電(dian)(dian)容充電(dian)(dian)電(dian)(dian)源、IGBT老(lao)化電(dian)(dian)源、防雷二極(ji)管耐(nai)壓(ya)測(ce)試(shi)等(deng)場合(he)。其恒流模式對(dui)于快速測(ce)量(liang)擊穿點具(ju)有重大意義。
同時,造成電感、IGBT功率器件、IPM接口等可以高感應電壓降電流量的測試圖片情況下,普賽斯HCPL類別高感應電壓降電流量激光電磁發生器供電,極具所在感應電壓降電流量大(單臺1000A,幾臺串聯6000A)、激光電磁發生器邊沿陡(15μS)、可以支持系統兩路口激光電磁發生器電壓降在測量(最高值取樣)同時可以支持系統所在正負極設置成等基本特征。
訊石:現關鍵時(shi)期(qi)車輛分布(bu)業(ye)內定義滑道進(jin)步應該如此(ci)?要面臨哪(na)一些賣場價格(ge)競(jing)爭(zheng)?進(jin)步過程中 中歷經過哪(na)一些關鍵時(shi)期(qi)性有難度,應該如此(ci)攻占難題?
王承:當(dang)前中國的(de)(de)(de)(de)半導體行業(ye)(ye)在(zai)飛(fei)速發展中,先進器件的(de)(de)(de)(de)研究過程中,新(xin)材(cai)料(liao)、新(xin)結構與(yu)新(xin)工藝的(de)(de)(de)(de)應用都(dou)可能帶來未知的(de)(de)(de)(de)變化(hua)。由于國內本土測量儀器行業(ye)(ye)起步(bu)較(jiao)晚,發展情況也不盡相同(tong)。可以預見的(de)(de)(de)(de)是,復雜(za)的(de)(de)(de)(de)國際關(guan)系背景和(he)市場需求的(de)(de)(de)(de)雙重驅(qu)動下,關(guan)鍵領域的(de)(de)(de)(de)國產化(hua)成(cheng)為(wei)競(jing)爭焦點,自上而(er)下的(de)(de)(de)(de)產業(ye)(ye)政策和(he)企(qi)業(ye)(ye)突圍(wei)將(jiang)加速自主(zhu)可控產業(ye)(ye)鏈的(de)(de)(de)(de)成(cheng)長,進口(kou)設備替代的(de)(de)(de)(de)風口(kou)已經到來。
半導體技藝產業的高效轉型對測試醫療儀器的使用需求在急劇擴張,表示動作的詞消費者就要大家關注精度的靜態式的的電壓電流的電壓功能,更想要留意到甚微高效的動態性現象,應該用場地的僵化多種多樣就特殊忍耐二家行業基本條件技藝的板材厚度。在發展壯大具體步驟中,大家早期時候撞見的步驟性不便要與絕部分是部分產的設配商家不一樣,面對著中低端測試儀器和設配主要是因為系統標準高、開發周期公式長、觀眾介紹重視精力長的間題。而應對那么的艱險,也只能靠大家我們的開發特色化力量以其日以繼夜的匠筑思想去拼搏直追。將近幾年時光,普賽斯儀器愿意到30人的專業團體到現時近百人,一次一次形成內部先進的半導生產生產設備電耐腐蝕性試驗儀器能服務提供商,產品已被內部通訊互聯網巨頭和好幾家高知名度半導生產生產設備中小型企業、高效研究院所認可的和操作,是為數越來越少邁入國際金半導生產生產設備試驗市揚供貨鏈體制的半導生產生產設備電耐腐蝕性試驗生產生產設備服務商,保證 了經銷商額呈幾何數的漲幅,也進一次強化了我們都的未來發展參入歐洲競爭者的自信。與此同一,我們都的仍在鍥而不舍認真投放新產品開發設計,開發設計出一些要要求顧客急切需要試驗實際需求的高耐腐蝕性試驗生產生產設備。
訊石:最為國內自(zi)主研發貨換(huan)(huan)用(yong)過程中的(de)生力軍(jun)軍(jun),普(pu)賽(sai)斯智(zhi)能儀(yi)表獲得自(zi)主經營(ying)主要優(you)勢。在(zai)舒適半導體芯片(pian)元器(qi)件(jian)封裝測試(shi)測試(shi)工作方面,國內自(zi)主研發貨換(huan)(huan)用(yong)仍(reng)普(pu)遍存在(zai)很多的(de)各種需求位置(zhi),普(pu)賽(sai)斯將盡(jin)早做一(yi)些市(shi)廠合理布局?
王承:隨(sui)著行(xing)業技(ji)術(shu)革新和新材(cai)料性(xing)能發(fa)展(zhan),以SiC(碳化(hua)硅(gui))、GaN(氮化(hua)鎵)為代表的第三(san)代寬(kuan)禁帶半導體材(cai)料迅速的發(fa)展(zhan),它們通常具有高(gao)(gao)擊穿電場、高(gao)(gao)熱導率、高(gao)(gao)遷(qian)移率、高(gao)(gao)飽(bao)和電子(zi)速度、高(gao)(gao)電子(zi)密度、高(gao)(gao)溫穩(wen)定性(xing)以及可承受大(da)功率等特(te)點(dian),使其(qi)在光電器件(jian)、電力(li)電子(zi)、射頻微波器件(jian)、激光器和探(tan)測器件(jian)等方面展(zhan)現(xian)出巨大(da)的潛力(li)。
市場上傳統與現代的測量技藝水平亦或是測驗儀器試驗設備一般的就能夠遍布元器性能特點的測驗消費需求。其實寬禁帶半導元器SiC(氫氟酸處理硅)或GaN(氮化鎵)的技藝水平卻巨大突出了各類高壓力、迅速的地域分布差值,怎么樣去 精密分析方法輸出元器高流/各類高壓力下的I-V直線或其他動態性能特點,這就對元器的測驗方法提出者較為嚴厲的挑站。
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