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●   高(gao)電(dian)壓(ya)達3500V(最(zui)大擴展至12kV)

●   大電流達6000A(多模塊并聯(lian))

●   nA級漏(lou)電(dian)流(liu)μΩ級導通電(dian)阻

●   高精度測(ce)量(liang)0.1%

●   模塊化配置，可添加或升級測量(liang)單元，可作(zuo)為IV、CV、跨導(dao)等豐富性(xing)技能的宗(zong)合(he)檢測

●   測試效率高，自動切換、一(yi)鍵測試

●   溫(wen)度范圍廣，支持常溫(wen)、高(gao)溫(wen)測試

●   兼容多種封裝，根(gen)據測試(shi)需求(qiu)定(ding)制夾具

測試項目

●   二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

●   三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入(ru)電容Ciss/Cies、輸出(chu)電容Coss/Coes、反(fan)向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dao)gfs、輸出(chu)特性曲(qu)線、轉移特性曲(qu)線、C-V特性曲(qu)線

●   光耦(ou)(四端(duan)口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電(dian)容(rong)CT、輸出電(dian)容(rong)CCE、電(dian)流傳(chuan)輸比CTR、隔離電(dian)容(rong)CIO

系統優勢

1、IGBT等大功率(lv)(lv)器件(jian)由于其功率(lv)(lv)特(te)點極易產生大量熱量，施(shi)加應力時(shi)(shi)間長，溫度迅速上升，嚴(yan)重(zhong)時(shi)(shi)會使器件(jian)損壞，且(qie)不符合(he)器件(jian)工(gong)作特(te)性(xing)。普賽(sai)斯高(gao)壓變壓器板塊(kuai)成立的(de)時(shi)(shi)低于5ms，在(zai)檢測(ce)進(jin)程中也可以變少待(dai)測(ce)物加電時(shi)(shi)的(de)發熱怎么辦(ban)。

2、高(gao)壓(ya)(ya)變(bian)壓(ya)(ya)器下(xia)漏(lou)電(dian)流的(de)檢測(ce)(ce)(ce)方法效果不同凡(fan)響，檢測(ce)(ce)(ce)方法合并率相對比較亞(ya)太產(chan)品品牌。市面上(shang)絕(jue)大多數器件的(de)規格書顯示，小模塊(kuai)(kuai)在(zai)高(gao)溫(wen)測(ce)(ce)(ce)試時漏(lou)電(dian)流一般大于(yu)5mA，而(er)車規級三相半橋高(gao)溫(wen)下(xia)漏(lou)電(dian)大于(yu)50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例：3300V，125℃測(ce)(ce)(ce)試條件下(xia)ICES典(dian)型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態(tai)系統高(gao)壓(ya)(ya)模塊(kuai)(kuai)測(ce)(ce)(ce)試幾乎可以完(wan)美(mei)應(ying)對所有類(lei)型器件的(de)漏(lou)電(dian)流測(ce)(ce)(ce)試需求。

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