盛夏已過，初秋開場

七月的高溫天氣依舊的意思一拖再拖不散生命也免無法被錯綜復雜的工作任務咒印

直流高壓大公率(6500V/3000A)IGBT公測難？伴伴隨著工程消費需求急、工作任務重、規范要求高工業師們有壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

基于SiC與Si效果指標的不同的，SiC MOSFET的閥值電流值更具忽高忽低定性分析，在電子元件測式英文時中閥值電流值可能會有非常明顯漂移，出現其電效果測式英文還有高溫柵偏做實驗的時候后的電測式英文的結果較為嚴重依懶于測式英文條件。所以閥值電流值的較準測式英文，現行政策是真的嗎性測式英文形式有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻器 RDSon為不良影響集成電路芯片工作的時導通耗率的一根本特色技術參數，其結果會隨 VGS 包括T的轉變而發生變化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流愛護能夠將線電壓以及直流電壓束縛在SOA部位，以免 電子器件毀損或炸管。

試驗前提：800V 恒壓 10μA 限流

檢查能力：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）工作電流測試電路設計將加強導通交流電壓檢測的精確；? SOCKET與PIN接受熱敏電阻器、各種測試引線導通熱敏電阻器。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，瞬時電流波形參數震蕩；? 新線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 常見的同軸低壓電纜的等效電解電容與DUT串并聯，SMU測驗時攀升各類保持穩定準確時間長；? 三同軸線纜等效電阻基本上為0。

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