數值化企業轉型發展加速，5G 、人工成本預算智慧及云存儲高效能算法為基礎（AI／HPC）的應用帶動力融合用電線路（Integrated Circuit, IC）科技快速晉升，心片用電線路機構很復雜層次和部件融合度連續多，測量難易和測量成本預算亦逐漸高升。

集成電路測試貫穿了從設計、生產到實際應用的全過程，大致分為：

- 結構設計的關鍵期的結構設計的安全驗證測試- 晶圓生產加工階段中，的的工藝把控測試軟件- 封口前的晶圓公測- 打包封裝后的的成品考試

芯片測試應用現狀

        芯片測試作為芯片設計、生產、封裝、測試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測，區別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一，常用的測試方法是FIMV（加電流測電壓）及FVMI（加電壓降測感應電流）。

        傳統性的基帶芯片電特點測量軟件必須數臺設備完畢，如電阻值源、瞬時電流源、萬用表等，那么由數臺設備分為的整體必須分別做好編程學習、同部、相連接、量測和講解，過程中更繁多又等待時間，又霸占過量測量軟件臺的空間，所以選用分散化能力的設備和激勵機制源還會有更繁多的完美間驅散進行，有最大的不敲判定及變慢的網絡傳輸線網絡傳輸轉速等的缺陷，不可滿足需要快速率測量軟件的供給。

        實施芯片電性能測試的最佳工具之一是數字化源表(SMU)，數字源表(biao)(biao)可(ke)(ke)作為獨立的恒(heng)壓源或恒(heng)流源、電(dian)壓表(biao)(biao)、電(dian)流表(biao)(biao)和電(dian)子負載，支持四象限功能，可(ke)(ke)提供恒(heng)流測壓及恒(heng)壓測流功能,可(ke)(ke)簡化芯片電(dian)性能測試方案(an)。

        此外，由于芯片的規模和種類迅速增加，很多通用型測試設備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求，但受接口容量和測試軟件運行模式的限制，無法同時對多個被測器件（DUT）進行測試，因此規模化的測試效率極低。特別是在生產和老化測試時，往往要求在同一時間內完成對多個DUT的測試，或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務。

        基于普賽斯CS系列多通道插卡式數字源表搭建的測試平臺，可進行多路供電及電參數的并行測試，高效、精確地對芯片進行電性能測試和測試數據的自動化處理。主機采用10插卡/3插卡結構，背板總線帶寬高達 3Gbps，支持 16 路觸發總線，滿足多卡設備高速率通信需求；匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，具有通道密度高、同步觸發功能強、多設備組合效率高等特點，最高可擴展至40通道。

圖1：普賽斯CS款型(xing)插(cha)卡式源表

（10插卡及3插卡，高至40綠色(se)通(tong)道）

基于數字源表SMU的芯片測試方案

        運用普賽斯數值源表確定集成塊的開不導通各種測驗英文(Open/Short Test)、漏電流各種測驗英文（Leakage Test）相應DC產品參數各種測驗英文（DC Parameters Test）。

1、開短路測試（O/S測試）

開虛接測量（Open-Short Test，也稱連續不斷性或學習測量），使用于印證測量軟件與集成電源線路芯片一切引腳的電學習性，測量的進程是出借對地保護好整流二極管開始的，測量拼接電源線路給出隨時：

圖2：開跳閘測量方式(shi)連(lian)到(dao)展示

2、漏電流測試

漏電流測式英文軟件，也叫為Leakage Test，漏電流測式英文軟件的目地大部分是產品檢驗填寫Pin腳各種高阻階段下的效果Pin腳的輸出阻抗有沒夠高，測式英文軟件銜接電路板如下如下圖所示如下圖所示：

圖3：漏電(dian)流測量(liang)層面相連接表示

3、DC參數測試

DC性能指標的繁多測式英文，通常基本都是Force直流直流電繁多測式英文直流電或是Force直流電繁多測式英文直流直流電，常見是繁多測式英文電位差性。通常繁多DC性能指標還會在Datasheet其中標出，繁多測式英文的常見重要性是確保安全集成ic的DC性能指標值符合要求規范標準：

圖4：DC性能(neng)參(can)數軟件測試電纜(lan)線無線連接示圖

測試案例

測試(shi)儀系統化標準(zhun)配置

Case 01 NCP1377B 開短路測試

        試驗方法 PIN 腳與 GND 內相互連接工作狀態，試驗方法時候中SMU決定3V量限，加入的-100μA直流輸出功率，限壓-3V，自動測量輸出功率畢竟表 1 隨時，輸出功率畢竟在-1.5~-0.2 內，試驗方法畢竟 PASS。

*測式新線路鏈接(jie)參考圖(tu)2

圖5：NCP1377B開串電測試(shi)測試(shi)最終

Case 02 TLP521 光電耦合器直流參數測試

        光電科技解耦器包括的由兩個排序成：光的衛星試射端及光的推送端。光的衛星試射端包括的由閃光電子元器件大家庭中的一員-場效應管制成，電子元器件大家庭中的一員-場效應管的管腳為光耦的手機輸入端。光的推送端包括的是光敏納米線管， 光敏納米線管是應用 PN 結在施加壓力反方向電壓降時，在燈光射進來的角下反方向電阻值由大變小的的基本原理來工作中的，納米線管的管腳為光耦的打印輸出端。        案列使用多臺SMU來估測，幾臺SMU與電子元件顯示端連結方式，看做恒流源驅程夜光場效應管并估測顯示端涉及到技術指標，另幾臺SMU與電子元件效果端連結方式，看做恒壓源并估測效果相對定位涉及到技術指標。

*測式新線路相連對比圖(tu)4

圖(tu)6：BVECO 檢查(cha)大(da)數(shu)據及弧(hu)度

圖7：ICEO檢(jian)查數劇(ju)及弧線

圖8：手機輸入形態直線

圖9：工(gong)作輸出(chu)形(xing)態等值線(xian)